近30年的SiC外延系統演變

Epigress熱壁式SiC外延生長(cháng)系統

•單晶片2”直徑

•手動(dòng)裝載和卸載外延片

•過(guò)程手動(dòng)控制

•基于硅烷(SiH4)的工藝–不含氯

•增長(cháng)率限制在10微米/小時(shí)左右

Aixtron暖壁系統

•多晶片6”直徑(8”)

•自動(dòng)加載和卸載外延片

•配方控制過(guò)程

•基于氯硅烷的工藝

•(TCS)增長(cháng)率通常為30微米/小時(shí)

•主要用于>30um的外延層

Epiluvac集群式熱壁系統

•最大直徑為8英寸的單晶片室

•腔室可以組合在一個(gè)集群設備中，用于不同的摻雜層（n、p型）

•腔室之間的晶片轉移發(fā)生在空閑溫度和真空下。

•外延片的自動(dòng)加載鎖定加載、預熱、冷卻和卸載

•通過(guò)配方控制過(guò)程

•基于氯硅烷(TCS)的工藝證明生長(cháng)速率超過(guò)100um/hr