由北京天科合達藍光半導體有限公司和中科院物理所共同起草的兩項碳化硅國家標準已成功發(fā)布，并將于2015年9月1日開(kāi)始實(shí)施。　　
該兩項標準分別為：　　
1、《碳化硅單晶拋光片》，標準號GB/T 30656—2014,本標準規定了4H 及6H 碳化硅單晶拋光片的要求、檢驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、儲存、質(zhì)量證明書(shū)及訂貨單（或合同）內容。本標準適用于4H 及6H 碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于制作半導體LED及電力電子器件的外延襯底。　　
2、《碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測方法》，標準號GB/T 31351-2014,本標準規定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無(wú)損檢測方法。本標準適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍內的微管密度的測量。　　
該兩項標準填補了碳化硅半導體材料在該技術(shù)領(lǐng)域的標準空白，標準水平達到同類(lèi)國際標準的先進(jìn)水平，標準的實(shí)施將規范我國碳化硅半導體材料行業(yè)，從而促進(jìn)該行業(yè)的健康有序發(fā)展，進(jìn)而提升我國碳化硅半導體企業(yè)在國際市場(chǎng)上的影響力。另外該兩項標準也屬于《北京市重點(diǎn)發(fā)展的技術(shù)標準領(lǐng)域和重點(diǎn)標準方向》中的新材料標準范疇，因此標準的實(shí)施也將有助于北京市在碳化硅產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢，占領(lǐng)競爭制高點(diǎn)。