SiCMOSFET與其硅對應物一樣，具有內部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復行為，當二極管關(guān)斷同時(shí)承載正正向電流時(shí)會(huì )發(fā)生這種情況。因此，反向恢復時(shí)間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較。可以看出，SiCMOSFET的體二極管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不計，能量損失Err大大降低。