近來(lái)，我國逐步完成了碳化硅功率器材的量產(chǎn)，實(shí)現技術(shù)自主創(chuàng )新，打破了歐、美、日長(cháng)久時(shí)間以來(lái)的技能獨占，邁開(kāi)了我國碳化硅功率器材工業(yè)化開(kāi)展的第一步。
  眾所周知，碳化硅是半導體界公認的“一種將來(lái)的資料”，是新世紀有寬廣開(kāi)展潛力的新式半導體資料。碳化硅微粉屬于寬禁帶半導體，物理特性與硅有很大不一樣。單晶碳化硅比單晶硅具有很多優(yōu)勝的物理特性，例如(1)大概10倍的電場(chǎng)強度;(2)大概高3倍的熱導率;(3)大概寬3倍禁帶寬度;(4)大概高一倍的飽滿(mǎn)漂移速度。 
  納米級碳化硅在高效功率器材方面有著(zhù)廣泛的運用，有望從本質(zhì)上進(jìn)步電力傳送功率和運用功率。能夠大幅削減能耗，減小電力設備體積和重量，下降各項設備體系的全體本錢(qián)，進(jìn)步體系的可靠性，廣泛用于電動(dòng)轎車(chē)、太陽(yáng)能電池、智能電網(wǎng)、UPS電源、變頻空調等范疇。