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碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-03-17 14:52:00【

碳化硅晶片經(jīng)過(guò)清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì),同時(shí)保證不引入新的雜質(zhì),從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿(mǎn)足半導(dǎo)體下游客戶(hù)的要求。

傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗方法來(lái)去除材料表面的污染,但是碳化硅是一種極性晶體,表面帶有一定的電荷,吸附污染物后變得更加難以清洗。

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