眾所周知，碳化硅原料作為一種重要的寬禁帶半導體材料，由于其本身所具有的高熱導率，飽和電子漂移速率大和擊穿場強高的特點，目前已被廣泛應用于制備高溫、高頻及大功率電子元器件。

　　根據(jù)有關(guān)中科院物理研究所專家最新研究成果顯示，4H碳化硅晶體在2.5-5.6μm中紅外波段具有較高透過率。通過實際測試確定了4H碳化硅晶體的相位匹配條件。

　　在此之前，國際上還尚未出現(xiàn)有關(guān)碳化硅微粉晶體非線性光學頻率變化的實驗報道。中科院物理研究所的專家與教授們通過合作實驗，首次獲得了波長覆蓋3.9-5.6μm的寬譜中紅外激光輸出。因此此項實驗結(jié)果的獲得，有望進一步實現(xiàn)大功率電子元器件的中紅外激光輸出。