資訊分類(lèi)
{$Cloumns$}
碳化硅作為半導體材料的特點(diǎn)
文章出處：原創(chuàng )網(wǎng)責任編輯：王龍作者：王龍人氣：-發(fā)表時(shí)間：2017-03-21 07:52:00
眾所周知，碳化硅是目前半導體界公認的一種具有較高開(kāi)發(fā)潛力的新式半導體材料。金蒙新材料公司所生產(chǎn)的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導體，與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。
大家通常認識一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強為硅的5.3 倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。
碳化硅與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場(chǎng)效應器件和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
下一篇：負極材料用綠碳化硅冶煉工藝上一篇： 納米碳化硅
此文關(guān)鍵字：碳化硅
