金蒙新材料小編從相關(guān)渠道了解到：SiC電力電子器件在牽引領(lǐng)域的應用現狀及SiC電力電子器件在牽引領(lǐng)域應用面對的挑戰。目前，寬禁帶半導體SiC是最有發(fā)展前途的電力電子材料，滿(mǎn)足牽引變流器輕量化、小型化、高效化的發(fā)展趨勢。
  電牽引技術(shù)的不斷發(fā)展要求電力電子器件具有更高的功率密度、更高的工作溫度、更小的功率損耗、更快的開(kāi)關(guān)速度。目前，以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導體電力電子器件已經(jīng)實(shí)現商品化，在牽引領(lǐng)域表現出巨大的潛力。SiC材料較大的禁帶寬度(3.26eV)使其相比于Si材料(1.12eV)具有很大的優(yōu)勢：本征載流子濃度低20個(gè)數量級，臨界擊穿電場(chǎng)高10倍，熱導率高3倍，電子飽和漂移速率高1倍等。這些特性使得SiC電力電子器件在高溫、高頻及阻斷電壓等方面突破原有Si材料的極限。
目前，SiC電力電子器件已經(jīng)在600V-1700V中低壓領(lǐng)域實(shí)現了產(chǎn)業(yè)化，Cree、Rohm、Infineon等公司可批量供應最大電流50A的SiC SBD及MOSFET產(chǎn)品，其應用已顯著(zhù)提高系統工作頻率及整機效率。機車(chē)牽引、高壓直流輸變電等領(lǐng)域目前正小批量試用高壓SiC器件，系統性能提升明顯。SiC電力電子器件在牽引領(lǐng)域應用正由樣機試驗試制階段向批量化生產(chǎn)和工程化應用靠近。