碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)[ 03-17 14:52 ]

碳化硅晶片經(jīng)過(guò)清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時(shí)保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿(mǎn)足半導體下游客戶(hù)的要求。 傳統的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來(lái)去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。

低翹曲度碳化硅晶體切割技術(shù)難點(diǎn)[ 03-16 15:44 ]

碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進(jìn)行切割，切割難度大，保證切割過(guò)程穩定獲得低翹曲度的晶片是技術(shù)難點(diǎn)之一。 為了達到下游外延開(kāi)盒即用的質(zhì)量水平，需要對碳化硅襯底表面進(jìn)行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達到嚴苛的金屬、顆粒控制要求。 化學(xué)機械拋光屬于化學(xué)作用和機械作用相結合的技術(shù)，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學(xué)反應，生成一層相對容易去除的軟質(zhì)層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質(zhì)層，在化學(xué)作用和機械作用的交替進(jìn)行的過(guò)程中完成表面拋光，過(guò)程較為

PVT碳化硅晶體生長(cháng)技術(shù)難點(diǎn)[ 03-15 15:42 ]

目前碳化硅單晶的生長(cháng)方法主要包括以下三種：液相法、高溫化學(xué)氣相沉積法、物理氣相傳輸法（PVT）。其中PVT法是目前SiC單晶生長(cháng)研究最多、最成熟的技術(shù)，其技術(shù)難點(diǎn)在于： （1）碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內完成“固-氣-固”的轉化重結晶過(guò)程，生長(cháng)周期長(cháng)、控制難度大，易產(chǎn)生微管、包裹物等缺陷。 （2）碳化硅單晶包括200多種不同晶型，但生產(chǎn)一般僅需一種晶型，生長(cháng)過(guò)程中易產(chǎn)生晶型轉變造成多型夾雜缺陷，制備過(guò)程中單一特定晶型難以穩定控制，例如目前主流的4H型。

高純度碳化硅生長(cháng)原料合成技術(shù)[ 03-14 15:40 ]

生長(cháng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿(mǎn)足單晶生長(cháng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法將固態(tài)的Si源和C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續反應，最后得到高純SiC粉體，是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 天岳先進(jìn)使用的高純碳化硅是將高純硅粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合，在2000℃以上的高溫條件下，

碳化硅單晶生長(cháng)爐制造技術(shù)[ 03-12 15:37 ]

碳化硅長(cháng)晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長(cháng)核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長(cháng)晶爐需要實(shí)現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長(cháng)提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現條件。 碳化硅單晶生長(cháng)熱場(chǎng)是碳化硅單晶生長(cháng)的核心，決定了單晶生長(cháng)中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場(chǎng)等關(guān)鍵反應條件。熱場(chǎng)的配置核心是設置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場(chǎng)內生長(cháng)的晶體具有較小的原生內應力，同時(shí)具備合理可控的生長(cháng)速率。