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- 碳化硅電力電子器件發(fā)展中的難題分析[ 05-18 16:25 ]
- 1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一種肉眼都可以看得見的宏觀缺陷，在碳化硅晶體生長技術(shù)發(fā)展到能徹底消除微管缺陷之前，大功率電力電子器件就難以用碳化硅來制造。盡管優(yōu)質(zhì)晶片的微管密度已達到不超過15cm-2 的水平。但器件制造要求直徑超過100mm的碳化硅晶體，微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工藝效率低。碳化硅的氣相同質(zhì)外延一般要在1500℃以上的高溫下進行。由于有升華的問題，溫度不能太高，一般不能超過1800℃，因而生長速率較低。液相外延溫度較低、速率較高，但產(chǎn)量較低。 3.摻雜工藝有特殊要求。如用擴散
- 碳化硅的四大應(yīng)用領(lǐng)域[ 05-16 10:52 ]
- 碳化硅主要有四大應(yīng)用領(lǐng)域。
- 國家嚴控環(huán)保 碳化硅企業(yè)面臨嚴峻挑戰(zhàn)[ 05-16 10:38 ]
- 近兩年整體市場的調(diào)整性，造成一些中小型企業(yè)減產(chǎn)、停產(chǎn)。
- 碳化硅在耐火材料方面的優(yōu)勢[ 05-13 16:16 ]
- 通常碳化硅用作耐火材料的數(shù)量大于用作磨料。
- 碳化硅相關(guān)物理性能介紹[ 05-12 16:15 ]
- 關(guān)于碳化硅的密度方面
