我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著(zhù)國家“新基建”戰略的實(shí)施，碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁、大數據中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片（襯底）作為碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎材料，具有較高的應用前景和產(chǎn)業(yè)價(jià)值，在我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰略地位。

碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數水平越高，其技術(shù)優(yōu)勢越明顯，長(cháng)期以來(lái)，碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場(chǎng)基本被歐美發(fā)達國家壟斷，這無(wú)疑突出了一個(gè)事實(shí)，即碳化硅晶片技術(shù)門(mén)檻極高。每個(gè)環(huán)節都對設備、工藝要求極為嚴格，其中一個(gè)環(huán)節出錯，那就意味著(zhù)昂貴的高純度碳化硅原料被浪費掉了。所以說(shuō)，其生產(chǎn)過(guò)程就如同高手過(guò)招，不允許出現任何失誤，一著(zhù)不慎滿(mǎn)盤(pán)皆輸。