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碳化硅功率器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)通過(guò)

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-03-18 15:54:00【

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《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiCMOSFET)開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法,評(píng)價(jià)器件在承受規(guī)定動(dòng)態(tài)柵極應(yīng)力的條件下是否符合規(guī)定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復(fù)承受柵極正偏壓和柵極負(fù)偏壓,以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化,從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩(wěn)定性。

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