推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 目視化管理是精益生產(chǎn)里面減少浪費(fèi)的重要工具[ 04-04 17:38 ]
- 目視化管理是精益生產(chǎn)里面減少浪費(fèi)的重要工具，我們不能為了目視化管理而隨便設(shè)立標(biāo)志，雜亂無(wú)章，也是一種浪費(fèi)。我們應(yīng)該是為了實(shí)現(xiàn)精益的單件流而去設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)化的提醒標(biāo)志。金蒙新材料每個(gè)產(chǎn)品需要根據(jù)碳化硅不同的用途而使用不同的生產(chǎn)工藝，有的產(chǎn)品需要先A工序再B工序，有的產(chǎn)品先B工序再A工序。為了操作工快速的加工和流轉(zhuǎn)到下個(gè)工序，防止等待的浪費(fèi)，需要制作目視化全部加工流程圖，隨該產(chǎn)品在生產(chǎn)線流通，里面包含每個(gè)工序的加工要求，加工時(shí)間，加工合格率，搬運(yùn)到下個(gè)工序等。因?yàn)槲覀冞€達(dá)不到自動(dòng)化生產(chǎn)線和單件流，這
- 碳化硅陶瓷采用無(wú)壓燒結(jié)工藝[ 04-05 18:16 ]
- 近年隨著碳化硅制品燒結(jié)的發(fā)展，碳化硅陶瓷采用無(wú)壓燒結(jié)工藝，燒結(jié)后的制品性能優(yōu)良，從而成為一種很有發(fā)展前途的燒結(jié)方法。 通過(guò)無(wú)壓燒結(jié)，碳化硅陶瓷的成型壓力為140MPa，保壓時(shí)間為90s；粘結(jié)劑用量為物料總質(zhì)量的3%；含有C、B4C元素作為燒結(jié)助劑的碳化硅陶瓷燒結(jié)屬于固相燒結(jié)，燒結(jié)過(guò)程主要由擴(kuò)散機(jī)制控制,燒結(jié)溫度為2150℃；含有Al_2O_3、K_2O、Na_2O、MgO等金屬氧化物作為燒結(jié)助劑的碳化硅陶瓷燒結(jié)屬于液相燒結(jié)，燒結(jié)過(guò)程主要由界面反應(yīng)控制，燒結(jié)溫度為1350℃。 另外，采用無(wú)壓燒結(jié)工藝所得碳
- 精益改造首先要改變自己的思維理念[ 04-04 17:41 ]
- 精益改造首先要改變自己的思維理念，反省自己，改變自己，通過(guò)對(duì)自己想法的一個(gè)改變和行動(dòng)去影響周?chē)娜?，不要講一套一套的理論，漂在天上，要走到現(xiàn)場(chǎng)去發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，并采用工具和方法來(lái)解決生產(chǎn)過(guò)程中的一些浪費(fèi)，提高生產(chǎn)質(zhì)量，縮短產(chǎn)品在生產(chǎn)工序等待浪費(fèi)的時(shí)間，通過(guò)今天下午的C2現(xiàn)場(chǎng)會(huì)，可以看到我們?cè)趯?shí)際生產(chǎn)過(guò)程中有價(jià)值的生產(chǎn)時(shí)間是非常少的，大部分干的都是不產(chǎn)生價(jià)值的工作。我們目前所做的就是減少這些不產(chǎn)生價(jià)值的工作。到現(xiàn)場(chǎng)解決問(wèn)題，管理人員要站在生產(chǎn)線的邊上，這樣可以更方便，更快速的收集現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)找到問(wèn)題，便
- 山東金蒙碳化硅冶煉爐良好的透氣性的重要性[ 07-02 10:18 ]
- 山東金蒙碳化硅合成過(guò)程是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，特別是在冶煉的中后期，是有液相和氣相參與的反應(yīng)。因此提高壓力并不表現(xiàn)出積極作用，甚至?xí)沟闷浞础Ｋ砸睙挔t應(yīng)該要有良好的透氣性。如果爐體和爐料透氣性太差，爐內(nèi)會(huì)形成很高的正壓。這種壓力會(huì)大大降低爐內(nèi)反應(yīng)動(dòng)力，使反應(yīng)能力減小，反應(yīng)速度下降。從而影響冶煉爐的產(chǎn)量和產(chǎn)品的質(zhì)量。爐內(nèi)的正壓高，會(huì)使?fàn)t芯溫度不正常迅速升高，爐料的區(qū)間溫差梯度加大，會(huì)造成冶煉爐中心部位有分解溫度，外層無(wú)再結(jié)晶溫度，阻礙了反應(yīng)向正方向發(fā)展。當(dāng)爐內(nèi)壓力升到一定數(shù)值后，將會(huì)使碳化硅晶筒形成多硅結(jié)晶或富硅性熔體。
- 碳化硅光學(xué)材料拋光試驗(yàn)[ 04-24 11:05 ]
- 研究了三種典型的碳化硅光學(xué)材料CVD SiC、HP SiC以及RB SiC的材料去除機(jī)理與可拋光性，并對(duì)其進(jìn)行了超光滑拋光試驗(yàn)。在分析各種材料制備方法與材料特性的基礎(chǔ)上，通過(guò)選擇合理的拋光工藝參數(shù)，均獲得了表面粗糙度優(yōu)于Rq=2nm（采樣面積為0.71mm×0.53mm）的超光滑表面。試驗(yàn)結(jié)果表明：研磨過(guò)程中，三種碳化硅光學(xué)材料均以脆性斷裂的方式去除材料，加工表面存在著裂紋以及材料脫落留下的缺陷;拋光過(guò)程中，CVD SiC主要以塑性劃痕的方式去除材料，決定表面粗糙度的主要因素為表面微觀劃痕的深度；HP
