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- SiC器件在各行業(yè)中的應用及優(yōu)勢[ 05-16 16:55 ]
- 1、電源/大型服務(wù)器：用于電源及功率因數校正器內部，減積減重、提高效率、降低損耗。 2、光伏：用于光伏逆變器中，光伏發(fā)電產(chǎn)生的電流為直流電，需要通過(guò)逆變器轉換為交流電以實(shí)現并網(wǎng)。采用SiC功率器件可以減積減重；提高逆變轉化效率2%左右，綜合轉換效率達到98%；降低損耗，提高光伏發(fā)電站經(jīng)濟效益；SiC材料特性，降低故障率。 3、風(fēng)電：用于風(fēng)電整流器、逆變器、變壓器，風(fēng)力發(fā)電產(chǎn)生的交流電易受風(fēng)力影響使得電壓、電流不穩定，先要經(jīng)過(guò)整流為直流電后再逆變成交流電實(shí)現并網(wǎng)，提高效率、降低損耗，同時(shí)成本和質(zhì)量分別減少
- 碳化硅寬禁帶半導體目前存在的問(wèn)題[ 05-14 15:50 ]
- ①大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。 目前國際上已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù)；p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長(cháng)技術(shù)有待進(jìn)一步提高。 ③SiC功率器件的市場(chǎng)優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動(dòng)目前硅功率半導體器件市場(chǎng)上的主體地位。 國際SiC器件領(lǐng)域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術(shù)水平比較低；缺乏統一的測試評價(jià)標準。 中國SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個(gè)方面差距：
- 碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈[ 05-13 16:42 ]
- 碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應用”等環(huán)節。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長(cháng)碳化硅單晶的原料，其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長(cháng)質(zhì)量以及電學(xué)性能。 碳化硅粉料有多種合成方式，主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法；液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導
- Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]
- 據中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標志著(zhù)Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng )新高，可滿(mǎn)足汽車(chē)市場(chǎng)不斷增長(cháng)的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng )新中心的先進(jìn)試驗線(xiàn)，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會(huì )在關(guān)鍵客戶(hù)中進(jìn)行首輪驗證，展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月
- 中泰恒創(chuàng )攜手中匯環(huán)球投入100億美元開(kāi)展碳化硅項目[ 05-11 16:26 ]
- 近日，中泰恒創(chuàng )科技有限公司與中匯環(huán)球集團有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場(chǎng)”項目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng )與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場(chǎng)方向。 據悉，中匯環(huán)球為中泰恒創(chuàng )提供100億美元以上自主融合國際主權財富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng )在開(kāi)發(fā)生產(chǎn)IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產(chǎn)品，以及建立創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)產(chǎn)業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng )已落地施行的半導體項目可分為三個(gè)階段，第一階段收益預計100億元，第二階段預計580億元，到第三階段完成，整
