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- SiC模塊可提升電動(dòng)汽車(chē)功率及續航能力[ 05-21 11:48 ]
- 碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場(chǎng)強，也就是耐高壓，即是可以控制更高的系統電壓。高電壓意味著(zhù)低電流，能減少設備電阻的損耗。 對電機設計來(lái)說(shuō)，也更容易在小體積下實(shí)現更高功率。 碳化硅可實(shí)現大功率及高續航。除了寬禁帶帶來(lái)的優(yōu)勢外，碳化硅還有兩大優(yōu)勢，一個(gè)是飽和電子速度更高，一個(gè)是導熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過(guò)更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍，因此在設備設計時(shí)，匹配的電流強度更容易遠離設備的飽和電流，也就能實(shí)現在導通狀態(tài)下更低的電阻。
- 碳化硅器件應用于逆變器優(yōu)勢[ 05-20 16:41 ]
- 碳化硅導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢明顯。就電動(dòng)汽車(chē)逆變器而言，功率器件是核心能量轉換單元，其損耗包含兩部分，導通損耗Econ和開(kāi)關(guān)損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導通損耗優(yōu)勢是比較明顯的，再結合輕載工況開(kāi)關(guān)損耗占比更大（碳化硅開(kāi)關(guān)損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應用碳化硅MOS體現在效率Map上就是高效區面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開(kāi)時(shí)雙向導通，又規避了IGBT模塊在續流時(shí)，FRD的導通壓降比IGBT大的問(wèn)題，進(jìn)一步降低導通損耗。 碳化硅可降低整車(chē)能耗
- 「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]
- 蔚來(lái)下一代電動(dòng)車(chē)將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]
- 近年來(lái)，新能源汽車(chē)遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車(chē)輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車(chē)行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數十億美元，皆因業(yè)界認為這類(lèi)技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動(dòng)汽車(chē)。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車(chē)創(chuàng )新企業(yè)蔚來(lái)（NIOInc.）為其下一代電動(dòng)車(chē)（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎的功率模塊能使電動(dòng)車(chē)的續航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場(chǎng)帶來(lái)配備先進(jìn)半導體材料的電動(dòng)車(chē)。 據悉，
- 氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
- 氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品，20世紀70年代被廣泛應用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè)，上世紀80年代我國將該材料進(jìn)行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近，當柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結，產(chǎn)生的增韌和強化作用遠遠優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大，可以與碳化硅材料復合改善脆性，提升斷裂韌性；而且碳化硅材料的熱穩定性與抗氧化能力在與氮化硅復合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料莫氏硬度為9左右，僅次于金剛石；常溫強度高并且在1200-1400℃時(shí)此材料的強度和硬度可以
