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- 中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]
- 近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，研人員通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問(wèn)題，持續改善晶體結晶質(zhì)量，成功生長(cháng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節形成，襯底在SiC器件成本中占比高達約45%。進(jìn)一步擴大SiC襯底尺寸，在單個(gè)襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。8英寸SiC晶體生長(cháng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻、氣相原料分布和輸運效率問(wèn)題；另外
- 多孔重結晶碳化硅陶瓷的制備與力學(xué)性能表征[ 05-09 16:20 ]
- 多孔重結晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩定性、耐腐蝕性能、高熱導率以及較小的熱膨脹系數，作為高溫結構材料廣泛用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結過(guò)程中不收縮，可以制備形狀復雜、精度較高的部件。 目前，針對RSiC的研究和應用，一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結構材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過(guò)濾催化用的多孔結構/功能材料。 高溫過(guò)濾催化用多孔材料，如用作柴油車(chē)尾氣顆粒物過(guò)濾器(Die
- 在單晶生長(cháng)方面SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)[ 05-08 08:34 ]
- 與傳統的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規模化生長(cháng)SiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來(lái)了SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)： 1、生長(cháng)條件苛刻，需要在高溫下進(jìn)行。一般而言，SiC氣相生長(cháng)溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來(lái)了極高的要求，生產(chǎn)過(guò)程幾乎是黑箱操作難以觀(guān)測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會(huì )導致生長(cháng)數天的產(chǎn)品失敗。 2、生長(cháng)速度慢。PVT法生長(cháng)SiC的速度緩慢，7天才能生長(cháng)2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長(cháng)的8英
- 做一片八英寸SiC晶圓生產(chǎn)難點(diǎn)在哪？[ 05-07 16:27 ]
- 目前以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開(kāi)始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)又在哪里？ 包括SiC在內的第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中，襯底是所有半導體芯片的底層材料，起到物理支撐、導熱、導電等作用；外延是在襯底材料上生長(cháng)出新的半導體晶層，這些外延層是制造半導體芯片的重要原料，影響器件的基本性能；設計包括器件設計和集成電路設計，其中器件設計包括半導體器件的結構、材
- SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 05-06 16:22 ]
- Si和SiC作為半導體材料幾乎同時(shí)被提出，但由于SiC生長(cháng)技術(shù)的復雜和缺陷、多型現象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個(gè)重要階段。第一個(gè)階段是結構基本性質(zhì)和生長(cháng)技術(shù)的探索階段，時(shí)間跨度從1924年發(fā)現SiC結構至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級別單晶生長(cháng)的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長(cháng)方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著(zhù)國際上半導體照明及2英寸SiC單晶
