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- 比亞迪等新能源車(chē)企扎堆布局碳化硅 產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(cháng)[ 06-21 11:30 ]
- 近期，新能源車(chē)企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關(guān)領(lǐng)域投資迎來(lái)密集落地。日前，新能源汽車(chē)龍頭比亞迪入股天域半導體，華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。 資料顯示，天域半導體是國內第一家獲得汽車(chē)質(zhì)量認證（IATF16949）的碳化硅半導體材料供應鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機構聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車(chē)及三安光電共同出資組建的碳化硅車(chē)規芯片模組公司蘇州斯科半導體落戶(hù)蘇州。 作為第三代半導體材料的
- 日本IDM大廠(chǎng)羅姆SiC功率半導體計劃將產(chǎn)能增加6倍[ 06-20 17:27 ]
- 據粉體圈整理消息：近期，日本IDM大廠(chǎng)羅姆(Rohm)計劃2025年前，要將碳化硅(SiC)功率半導體的營(yíng)收擴大至1000億日元以上。為此，羅姆最大將投資1700億日元使碳化硅功率半導體的產(chǎn)能在2025年時(shí)增加至2021年時(shí)的6倍。 羅姆6月8日在日本福岡縣筑后市舉行碳化硅功率半導體專(zhuān)用生產(chǎn)廠(chǎng)房啟用儀式。羅姆社長(cháng)松本功表示，要以新廠(chǎng)房為起點(diǎn)，目標在2025年度成為全球市占龍頭。這也是日本半導體制造商首度在日本國內建設碳化硅功率半導體的專(zhuān)用廠(chǎng)房。 據《日本經(jīng)濟新聞》報道，目前羅姆在全球整體功率半導體市場(chǎng)市
- 藍海華騰、廣汽資本投資基本半導體 搶灘布局碳化硅百億市場(chǎng)[ 06-19 16:22 ]
- 6月7日,藍海華騰、廣汽資本、潤峽招贏(yíng)等機構完成了對國內第三代半導體碳化硅(SiC)功率器件企業(yè)——基本半導體的C2輪融資。本次投資意味著(zhù)藍海華騰加緊開(kāi)拓布局第三代半導體碳化硅器件領(lǐng)域，通過(guò)助力基本半導體在碳化硅功率器件上的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設，共同加強雙方在新能源汽車(chē)市場(chǎng)的拓展。 公開(kāi)資料顯示，藍海華騰于2016年在深交所創(chuàng )業(yè)板上市，是一家擁有完全自主知識產(chǎn)權，專(zhuān)業(yè)致力于新能源汽車(chē)驅動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化控制產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售以及整體方案解決的國家高新技術(shù)企業(yè)。 藍海華騰本次
- 德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設[ 06-17 17:19 ]
- 近日，在新馬工業(yè)園內，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節中的關(guān)鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進(jìn)行生長(cháng)SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節。長(cháng)期以來(lái)，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節，但因其技術(shù)壁壘高，長(cháng)期被美
- 碳化硅陶瓷換熱器設計時(shí)要注意的問(wèn)題[ 06-16 16:15 ]
- 碳化硅具有很高的導熱系數，同時(shí)其化學(xué)性能穩定、熱膨脹系數小、耐磨性能好，并具有優(yōu)異的抗熱震性。所以，碳化硅質(zhì)材料是陶瓷換熱器的首選材料。碳化硅在水蒸氣、含氧氣氛中存在高溫氧化問(wèn)題。含氧氣氛中，碳化硅在800℃以上開(kāi)始被氧化，可形成一層SiO2保護膜，在溫度高于1200℃時(shí)該保護膜即軟化被沖蝕破壞，換熱元件壽命迅速縮短。這也是一般碳化硅換熱元件最高用到1200℃的原因。碳化硅與蒸汽自1000℃開(kāi)始強烈反應，腐蝕生成的SiO2與水蒸氣發(fā)生揮發(fā)反應，生成氣態(tài)的Si(OH)4，不能形成保護膜。 因此在碳化硅換熱器設計
