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- 在單晶生長(zhǎng)方面SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)[ 05-08 08:34 ]
- 與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規(guī)模化生長(zhǎng)SiC單晶主要采用物理氣相輸運(yùn)法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來(lái)了SiC晶體制備的兩個(gè)難點(diǎn)： 1、生長(zhǎng)條件苛刻，需要在高溫下進(jìn)行。一般而言，SiC氣相生長(zhǎng)溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對(duì)設(shè)備和工藝控制帶來(lái)了極高的要求，生產(chǎn)過(guò)程幾乎是黑箱操作難以觀測(cè)。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會(huì)導(dǎo)致生長(zhǎng)數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長(zhǎng)速度慢。PVT法生長(zhǎng)SiC的速度緩慢，7天才能生長(zhǎng)2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長(zhǎng)的8英
- 一圖搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]
- SiC的不同晶體結(jié)構(gòu)[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會(huì)導(dǎo)致不同的晶體結(jié)構(gòu)，SiC有著超過(guò)200種（目前已知）同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成電路應(yīng)用 6H-SiC——射頻應(yīng)用 在不同的晶面上生長(zhǎng)不同的晶錠多型體： 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長(zhǎng) 6H-SiC&
- 碳化硅陶瓷換熱器的優(yōu)點(diǎn)[ 04-12 14:14 ]
- 碳化硅陶瓷換熱器有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)： （1）碳化硅陶瓷換熱器的使用方法直接、簡(jiǎn)單、快捷、高效、環(huán)保、節(jié)能。不需摻冷風(fēng)及高溫保護(hù)，維修成本低，無(wú)需對(duì)陶瓷換熱器進(jìn)行任何操作。適用于各種環(huán)境的燃?xì)夤I(yè)窯爐的余熱回收利用，尤其解決了各種高溫工業(yè)窯爐余熱溫度過(guò)高無(wú)法利用的難題； （2）國(guó)家要求陶瓷換熱器溫度≥1000℃，由于它耐高溫，所以就可以放在高溫區(qū)域，溫度越高，換熱效果越好，節(jié)能越多； （3）高溫情況下替代金屬換熱器； （4）解決化工行業(yè)熱交換、耐腐蝕的難題； （5）碳化硅陶瓷換熱器適應(yīng)
- 昭和電工宣布量產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓片[ 04-02 10:17 ]
- 近期，日本ShowaDenkoKK(SDK，昭和電工)宣布已開(kāi)始量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅單晶晶片(SiC晶片)，其可滿(mǎn)足迅速增長(zhǎng)的第三代功率半導(dǎo)體，特別是用于xEV、軌道車(chē)輛和工業(yè)設(shè)備的市場(chǎng)。 作為獨(dú)立的SiC外延片供應(yīng)商，SDK為功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片，全球市場(chǎng)占有率領(lǐng)先。 2018年，SDK收購(gòu)新日鐵住金集團(tuán)（現(xiàn)新日鐵集團(tuán)）的SiC晶圓相關(guān)資產(chǎn)，就此致力于開(kāi)發(fā)用于量產(chǎn)SiC晶片的技術(shù)，并且旨在提高SiC外延片質(zhì)量并為其建立穩(wěn)定的供應(yīng)體系。SDK同時(shí)表示，多元
