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    在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]
    與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同,目前規(guī)?;LSiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點: 1、生長條件苛刻,需要在高溫下進(jìn)行。一般而言,SiC氣相生長溫度在2300℃以上,壓力350MPa,而硅僅需1600℃左右。高溫對設(shè)備和工藝控制帶來了極高的要求,生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤,則會導(dǎo)致生長數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢,7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英
    一圖搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]
     
    SiC的不同晶體結(jié)構(gòu)[ 04-16 13:30 ]
    由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會導(dǎo)致不同的晶體結(jié)構(gòu),SiC有著超過200種(目前已知)同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC(碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能)。 最常用的多型是: 4H-SiC——功率集成電路應(yīng)用 6H-SiC——射頻應(yīng)用 在不同的晶面上生長不同的晶錠多型體: 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長 6H-SiC&
    碳化硅陶瓷換熱器的優(yōu)點[ 04-12 14:14 ]
    碳化硅陶瓷換熱器有以下幾個優(yōu)點: (1)碳化硅陶瓷換熱器的使用方法直接、簡單、快捷、高效、環(huán)保、節(jié)能。不需摻冷風(fēng)及高溫保護(hù),維修成本低,無需對陶瓷換熱器進(jìn)行任何操作。適用于各種環(huán)境的燃?xì)夤I(yè)窯爐的余熱回收利用,尤其解決了各種高溫工業(yè)窯爐余熱溫度過高無法利用的難題; (2)國家要求陶瓷換熱器溫度≥1000℃,由于它耐高溫,所以就可以放在高溫區(qū)域,溫度越高,換熱效果越好,節(jié)能越多; (3)高溫情況下替代金屬換熱器; (4)解決化工行業(yè)熱交換、耐腐蝕的難題; (5)碳化硅陶瓷換熱器適應(yīng)
    昭和電工宣布量產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓片[ 04-02 10:17 ]
    近期,日本ShowaDenkoKK(SDK,昭和電工)宣布已開始量產(chǎn)直徑6英寸(150mm)的碳化硅單晶晶片(SiC晶片),其可滿足迅速增長的第三代功率半導(dǎo)體,特別是用于xEV、軌道車輛和工業(yè)設(shè)備的市場。 作為獨立的SiC外延片供應(yīng)商,SDK為功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片,全球市場占有率領(lǐng)先。 2018年,SDK收購新日鐵住金集團(tuán)(現(xiàn)新日鐵集團(tuán))的SiC晶圓相關(guān)資產(chǎn),就此致力于開發(fā)用于量產(chǎn)SiC晶片的技術(shù),并且旨在提高SiC外延片質(zhì)量并為其建立穩(wěn)定的供應(yīng)體系。SDK同時表示,多元
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