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- 碳化硅器件工藝難點(diǎn)在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長(cháng)外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長(cháng)外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區別，歐姆接觸和硅工藝區別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類(lèi)價(jià)格也很便宜國產(chǎn)的大約400-500萬(wàn)一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價(jià)格非常貴，基本要800-1500萬(wàn)人民幣一臺，而且產(chǎn)能很低，一臺爐子一個(gè)月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國外
- 為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]
- 碳化硅的長(cháng)晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，可靠，成本可控。CVD對設備要求太高，價(jià)格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會(huì )用這個(gè)方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時(shí)間積累，日本公司不少專(zhuān)注于這個(gè)路線(xiàn)。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長(cháng)速度只有硅材料生長(cháng)速度的1/100都不到，144小時(shí)只有2cm左右的厚度，實(shí)在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長(cháng)晶爐數量堆。 目前國外日新技研和PVATe
- 碳化硅現在面臨的缺點(diǎn)和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車(chē)應用場(chǎng)景上使用，還是無(wú)法大規模替代硅功率器件，業(yè)內從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來(lái)理解有以下這些問(wèn)題。 首先碳化硅這種材料，在自然界是沒(méi)有的，必須人工合成，結果必然是成本遠遠高于可以自然開(kāi)采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒(méi)有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類(lèi)似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長(cháng)技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導致原材料價(jià)格過(guò)于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了
- 寬禁帶半導體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 09-09 17:05 ]
- 碳化硅，氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導體材料，國內也叫第三代半導體。它特指禁帶寬度超過(guò)2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過(guò)4.0eV叫超寬禁帶半導體材料，國內叫第四代半導體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個(gè)，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說(shuō)明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強弱程度的一個(gè)物理量，也就是產(chǎn)
- 三種生長(cháng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)[ 09-08 17:45 ]
- 生長(cháng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿(mǎn)足單晶生長(cháng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長(cháng)用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級，生產(chǎn)效率低，無(wú)法滿(mǎn)足工業(yè)需求；同時(shí)，固相法制備過(guò)程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直
