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- 從實(shí)驗室樣品到商用產(chǎn)品 核“芯”技術(shù)跑出加速度[ 09-28 17:04 ]
- 在江蘇南京中國電科五十五所的這間展廳里，有著(zhù)多種規格的碳化硅器件。它們已經(jīng)在新能源車(chē)載充電裝置上實(shí)現了批量應用，有了它們，新能源汽車(chē)的充電速度和整車(chē)性能都會(huì )大幅提高。 中國電子科技集團首席專(zhuān)家柏松接受采訪(fǎng)時(shí)表示：新能源汽車(chē)如果用傳統的第一代半導體器件，充電時(shí)間需要半個(gè)小時(shí)以上，而采用了第三代半導體碳化硅器件以后，可以實(shí)現充電10分鐘行駛400公里。 柏松從事碳化硅器件的開(kāi)發(fā)和應用研究已有近20年。他告訴記者，這是新能源汽車(chē)車(chē)載充電裝置所需的關(guān)鍵元器件，2020年以前，這類(lèi)器件完全依賴(lài)進(jìn)口，而現在，中國電
- onsemi捷克工廠(chǎng)將在未來(lái)兩年內擴大碳化硅晶圓產(chǎn)能16倍[ 09-27 17:00 ]
- 9月21日，美國半導體供應商onsemi（安森美）宣布，其在捷克Ro?nov擴建的碳化硅工廠(chǎng)建成，未來(lái)兩年內，該工廠(chǎng)的碳化硅晶圓和外延生產(chǎn)能力將擴大16倍。 從2019年開(kāi)始，onsemi將SiC拋光晶圓和SiC外延(EPI)晶圓生產(chǎn)添加到其在Roznov現有的硅拋光和外延晶圓和模具制造中。去年開(kāi)始重建新廠(chǎng)房，以進(jìn)一步擴大晶圓和SiC外延制造。到目前為止，onsemi已在Roznov基地投資超過(guò)1.5億美元，并計劃追加投資3億美元。 onsemi表示，碳化硅對于提高電動(dòng)汽車(chē)(EV)、電動(dòng)汽車(chē)充電和能源基
- AMB陶瓷基板市場(chǎng)潛力巨大[ 09-26 15:55 ]
- 據了解，目前在A(yíng)MB領(lǐng)域，比較領(lǐng)先的企業(yè)主要來(lái)自歐、日、韓，如德國的羅杰斯（RogersCorporation）、賀利氏科技集團，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會(huì )社（NGK）、電化株式會(huì )社（Denka）、京瓷株式會(huì )社（KYOCERACorporation）、東芝高新材料公司，韓國的KCC集團、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新機遇，部分國際企業(yè)已在計劃對AMB基板進(jìn)行擴產(chǎn)，如東芝高新材料公司已于去年開(kāi)設大分工廠(chǎng)，開(kāi)始生產(chǎn)氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴大德國埃申巴赫工廠(chǎng)AMB基板產(chǎn)能。
- AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯[ 09-24 17:52 ]
- 據了解，AMB基板銅層結合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過(guò)程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車(chē)并改善新能源汽車(chē)應用有明顯的提升效果。 不過(guò)，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實(shí)現難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善，這使得該技術(shù)目前的實(shí)現成本還比較高，“AMB被認為是Si
- 國內碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離[ 09-22 16:16 ]
- 碳化硅生產(chǎn)過(guò)程主要包括碳化硅單晶生長(cháng)、外延層生長(cháng)及器件制造三大步驟，對應的是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車(chē)開(kāi)始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點(diǎn)期，SiC在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應用已經(jīng)達到了批量生產(chǎn)的臨界區域，并且充電基礎設施、5G基站、工業(yè)和能源等應用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車(chē)、充電基礎設施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應用。 當前，碳化硅MOS
