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- 新能源車(chē)用半導體價(jià)值量提升 碳化硅倍受期待[ 07-13 09:12 ]
- 一直以來(lái)，硅是制造半導體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲備量大，成本比較低，并且制備比較簡(jiǎn)單。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應用場(chǎng)景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿(mǎn)足新能源車(chē)及高鐵等新興應用對器件高功率及高頻性能的需求。 在這個(gè)背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度
- 光刻機用碳化硅陶瓷結構件產(chǎn)業(yè)格局[ 07-08 16:42 ]
- 目前全球集成電路制造裝備支出達到500億美元，其中陶瓷結構件占支出的20%以上。目前IC制造裝備用高端碳化硅陶瓷零部件70%被Kyocera、CoorsTek兩家公司壟斷，剩余部分也被歐美日企業(yè)所占據。 Kyocera和CoorsTek產(chǎn)品的特點(diǎn)是種類(lèi)齊全、市場(chǎng)覆蓋面廣，以半導體用陶瓷組件為例，CoorsTek提供的精密陶瓷結構件涵蓋了光刻機專(zhuān)用組件、等離子刻蝕設備專(zhuān)用組件、PVD/CVD專(zhuān)用組件、離子注入設備專(zhuān)用組件、晶片吸附固定傳輸專(zhuān)用組件等一系列產(chǎn)品；Kyocera則提供光刻機、晶圓制造設備、刻蝕機、沉
- 碳化硅陶瓷精密結構部件制備工藝[ 07-07 15:39 ]
- 采用碳化硅作為光刻機等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結構件材料具有極大的優(yōu)勢。但是傳統的陶瓷制備工藝如注漿、干壓等很難實(shí)現諸如光刻機工作臺這類(lèi)復雜部件的制備。為此，中國建材總院研發(fā)出一系列成型、燒結技術(shù)，解決了采用碳化硅材料制作此類(lèi)部件的國產(chǎn)化問(wèn)題。 碳化硅陶瓷具有高強度、高硬度、高彈性模量、高比剛度、高導熱系數、低熱膨脹系數等優(yōu)良性能，是一種理想的高性能結構材料，但將其應用于制備具有“大、厚、空、薄、輕、精”特點(diǎn)的光刻機等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結構件時(shí)，卻存在諸多的技術(shù)難點(diǎn)和挑戰，比如如何實(shí)
- 碳化硅陶瓷結構件在光刻機中的應用[ 07-06 16:37 ]
- 集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長(cháng)技術(shù)及裝備、化學(xué)機械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩定性的運動(dòng)控制技術(shù)和驅動(dòng)技術(shù)，對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。 ●碳化硅工件臺 以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動(dòng)，要求實(shí)現高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動(dòng)，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線(xiàn)寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模-硅片同時(shí)步進(jìn)和掃描速度分別達到150nm/s和12
- 光刻機精密部件的主選材料--碳化硅陶瓷[ 07-05 14:29 ]
- 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導熱系數和低的熱膨脹系數，熱穩定性高，因此碳化硅陶瓷是一種優(yōu)良的結構材料，目前已經(jīng)廣泛應用于航空、航天、石油化工、機械制造、核工業(yè)、微電子工業(yè)等領(lǐng)域。但是，由于碳化硅是Si-C鍵很強的共價(jià)鍵化合物，具有極高的硬度和顯著(zhù)的脆性，精密加工難度大；此外，碳化硅熔點(diǎn)高，難以實(shí)現致密、近凈尺寸燒結。 因此，大尺寸、復雜異形中空結構的精密碳化硅結構件的制備難度較高，限制了碳化硅陶瓷在諸如集成電路這類(lèi)的高端裝備制造領(lǐng)域中的廣泛應用。目前只有日本、美國等少數幾個(gè)發(fā)達
